Samsung eUFS 3.0, chip memori internal berkecepatan tinggi untuk ponsel

Hasil gambar untuk Samsung eUFS 3.0

Pada akhir Januari, Samsung meluncurkan memori Universal Flash Storage (eUFS) versi 1TB yang tertanam dalam ponsel Galaxy S10 Plus terbaru.

Satu bulan kemudian, Samsung meluncurkan versi 512 GB chip memori eUFS 3.0 2 kali lebih cepat dari chip 2.1 flag eUFS ponsel. Kecepatan baca 2.100 MB per detik dibandingkan dengan 1.000 MB per detik.

Kecepatan membaca eUFS 3.0 512 GB, yang ditujukan untuk memori internal ponsel ini, juga dianggap Samsung, yang empat kali lebih cepat dari memori SATA SSD dan 20 kali lebih cepat dari kartu memori microSD.

Untuk evaluasi kecepatan tulis berurutan, chip eUFS 3.0 mencatat 410 MB per detik, 50% lebih cepat dari 2,1 1 TB eUFS (260 MB per detik). Kecepatan baca acak eUFS 3.0 dapat mencapai 63.000 IOPS (operasi input / output per detik). Sementara kecepatan penulisan acak mencapai 68.000 IOPS.

Dengan kata lain, eUFS 3.0 512 GB bukan hanya laju baca acak IOPS, tetapi 36% lebih cepat dari 2,1 1TB eUFS (50.000 IOPS).

Dengan kecepatan baca dan tulis, ponsel eUFS 3.0 ini dapat menjalankan banyak aplikasi skala besar secara bersamaan, seperti: Aplikasi pengeditan game dan video, di mana ponsel merespons input pengguna.

Samsung hanya membutuhkan waktu 3 detik untuk mentransfer film full HD (ukuran file 3,7GB) dari telepon ke komputer.

Untuk ketersediaan, versi 512 GB chip eUFS 3.0 dan versi 128 GB baru mulai diproduksi secara massal pada akhir Februari.

Sementara itu, versi eUFS 3.0 dengan 256 GB dan 1 TB akan diproduksi pada akhir 2019, seperti yang dirangkum oleh KompasTekno dari blog resmi Samsung, Sabtu (02/02/2014). Berikutnya adalah perbandingan lengkap dari kecepatan teknologi chip memori milik Samsung, termasuk rilis terbaru 512GB eUFS 3.0.

Send a Comment

Your email address will not be published.